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  5. GB02SLT12-214

GeneSiC Semiconductor - GB02SLT12-214

KEY Part #: K6433133

GB02SLT12-214 Preços (USD) [34628pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.19018
  • 500 pcs$1.05989
  • 1,000 pcs$0.89389
Número da peça:
GB02SLT12-214
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-214 electronic components. GB02SLT12-214 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB02SLT12-214, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB02SLT12-214 Atributos do produto

Número da peça : GB02SLT12-214
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Atual - Média Retificada (Io) : 2A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 1A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 50µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F : 131pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AA, SMB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AA
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C
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