Central Semiconductor Corp - CTLDM303N-M832DS TR

KEY Part #: K6523742

CTLDM303N-M832DS TR Preços (USD) [4064pcs Estoque]

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Número da peça:
CTLDM303N-M832DS TR
Fabricante:
Central Semiconductor Corp
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CTLDM303N-M832DS TR Atributos do produto

Número da peça : CTLDM303N-M832DS TR
Fabricante : Central Semiconductor Corp
Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 590pF @ 10V
Potência - Max : 1.65W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-TDFN Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TLM832DS
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