Vishay Semiconductor Diodes Division - RS2KHE3_A/I

KEY Part #: K6427557

RS2KHE3_A/I Preços (USD) [525400pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.07040
  • 3,200 pcs$0.06437

Número da peça:
RS2KHE3_A/I
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.5A, 800V, 500nS SMB, FS, GPP SM RECT
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Tiristores - TRIACs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RS2KHE3_A/I electronic components. RS2KHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS2KHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS2KHE3_A/I Atributos do produto

Número da peça : RS2KHE3_A/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V
Atual - Média Retificada (Io) : 1.5A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1.5A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 500ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 800V
Capacitância @ Vr, F : 17pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AA, SMB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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