DD800S17H4B2BOSA2 Preços (USD) [110pcs Estoque]
- 1 pcs$417.25024
- Número da peça:
- DD800S17H4B2BOSA2
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- IGBT MODULE VCES 1700V 800A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
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DD800S17H4B2BOSA2 Atributos do produto
Número da peça :
DD800S17H4B2BOSA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IGBT MODULE VCES 1700V 800A
Series :
-
Status da Peça :
Active
Configuração de diodo :
2 Independent
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
1700V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) :
-
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
2.1V @ 800A
Rapidez :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
900A @ 900V
Temperatura de funcionamento - junção :
-40°C ~ 150°C
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
AG-IHMB130-1
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