[826pcs Estoque]
- Número da peça:
- BSM75GB170DN2HOSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- IGBT 1700V 110A 625W MODULE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSM75GB170DN2HOSA1 electronic components. BSM75GB170DN2HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM75GB170DN2HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSM75GB170DN2HOSA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSM75GB170DN2HOSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IGBT 1700V 110A 625W MODULE
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo IGBT :
-
Configuração :
Half Bridge
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1700V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
110A
Potência - Max :
625W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
3.9V @ 15V, 75A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
11nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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