Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-1EFH02-M3/I

KEY Part #: K6435868

VS-1EFH02-M3/I Preços (USD) [876652pcs Estoque]

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  • 10,000 pcs$0.03824

Número da peça:
VS-1EFH02-M3/I
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 200V 1A SMF. Rectifiers Hypfst Rect 1A 200V
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - TRIACs, Diodos - retificadores de ponte and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-1EFH02-M3/I Atributos do produto

Número da peça : VS-1EFH02-M3/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 200V 1A SMF
Series : FRED Pt®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 930mV @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 16ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 2µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-219AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-219AB (SMF)
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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