Infineon Technologies - IDW40G120C5BFKSA1

KEY Part #: K6473223

IDW40G120C5BFKSA1 Preços (USD) [2709pcs Estoque]

  • 1 pcs$14.50129
  • 10 pcs$13.37408
  • 100 pcs$11.42048

Número da peça:
IDW40G120C5BFKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3. Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - JFETs and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDW40G120C5BFKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IDW40G120C5BFKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3
Series : CoolSiC™
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Cathode
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 55A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.65V @ 20A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 166µA @ 1200V
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO247-3

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