Taiwan Semiconductor Corporation - SF2008GHC0G

KEY Part #: K6429093

SF2008GHC0G Preços (USD) [222668pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.16611

Número da peça:
SF2008GHC0G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SF2008GHC0G Atributos do produto

Número da peça : SF2008GHC0G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AB
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 20A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 10A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 35ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : 80pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-220-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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