GeneSiC Semiconductor - MBR600200CTR

KEY Part #: K6468517

MBR600200CTR Preços (USD) [729pcs Estoque]

  • 1 pcs$63.61256
  • 25 pcs$37.09736

Número da peça:
MBR600200CTR
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Reverse
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR600200CTR Atributos do produto

Número da peça : MBR600200CTR
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Anode
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 300A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 920mV @ 300A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 3mA @ 200V
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Twin Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Twin Tower
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