Vishay Semiconductor Diodes Division - UHB10FT-E3/8W

KEY Part #: K6456443

UHB10FT-E3/8W Preços (USD) [116617pcs Estoque]

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Número da peça:
UHB10FT-E3/8W
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 300V 10A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UHB10FT-E3/8W Atributos do produto

Número da peça : UHB10FT-E3/8W
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 300V 10A D2PAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 300V
Atual - Média Retificada (Io) : 10A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 10A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 35ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 300V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C

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