SIDC105D120H8X1SA1 Preços (USD) [6845pcs Estoque]
- 1 pcs$6.01996
- Número da peça:
- SIDC105D120H8X1SA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies SIDC105D120H8X1SA1 electronic components. SIDC105D120H8X1SA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIDC105D120H8X1SA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIDC105D120H8X1SA1 Atributos do produto
Número da peça :
SIDC105D120H8X1SA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200V
Atual - Média Retificada (Io) :
200A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.41V @ 45A
Rapidez :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
27µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Sawn on foil
Temperatura de funcionamento - junção :
-40°C ~ 175°C
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