Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
1600V
Atual - Média Retificada (Io) :
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 1A
Rapidez :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 1600V
Capacitância @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-213AB, MELF (Glass)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-213AB
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C