ON Semiconductor - HGTG11N120CND

KEY Part #: K6422772

HGTG11N120CND Preços (USD) [27028pcs Estoque]

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  • 10 pcs$1.33003
  • 100 pcs$1.03371
  • 500 pcs$0.87997
  • 1,000 pcs$0.74214

Número da peça:
HGTG11N120CND
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 43A 298W TO247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Solteiro and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGTG11N120CND Atributos do produto

Número da peça : HGTG11N120CND
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 1200V 43A 298W TO247
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo IGBT : NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 43A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 80A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 11A
Potência - Max : 298W
Energia de comutação : 950µJ (on), 1.3mJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 100nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 23ns/180ns
Condição de teste : 960V, 11A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 70ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247