Harwin Inc. - S1001-46R

KEY Part #: K7359520

S1001-46R Preços (USD) [749970pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04957
  • 20,000 pcs$0.04932
  • 40,000 pcs$0.04524
  • 60,000 pcs$0.04354

Número da peça:
S1001-46R
Fabricante:
Harwin Inc.
Descrição detalhada:
RFI SHIELD CLIP MICRO TIN SMD. Specialized Cables SMT MICRO SHLD CLIP .15 - .20MM, TIN T&R
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Balun, RF Moduladores, Amplificadores de RF, Atenuadores, RF Switches, Módulos de Leitor RFID, RF Diplexers and RFI e EMI - Materiais de Proteção e Absorção ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Harwin Inc. S1001-46R electronic components. S1001-46R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1001-46R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1001-46R Atributos do produto

Número da peça : S1001-46R
Fabricante : Harwin Inc.
Descrição : RFI SHIELD CLIP MICRO TIN SMD
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo : Shield Clip
Forma : -
Largura : 0.024" (0.60mm)
comprimento : 0.177" (4.50mm)
Altura : 0.035" (0.90mm)
Material : Stainless Steel
Chapeamento : Tin
Chapeamento - Espessura : 118.11µin (3.00µm)
Método de Apego : Solder
Temperatura de operação : -25°C ~ 150°C

Você também pode estar interessado em
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.