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GeneSiC Semiconductor - MBR30035CTR

KEY Part #: K6472033

MBR30035CTR Preços (USD) [1633pcs Estoque]

  • 1 pcs$27.56172
  • 10 pcs$25.94202
Número da peça:
MBR30035CTR
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 35V 300A Schottky Recovery
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR30035CTR electronic components. MBR30035CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR30035CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR30035CTR Atributos do produto

Número da peça : MBR30035CTR
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Anode
Tipo de Diodo : Schottky, Reverse Polarity
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 35V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 300A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 700mV @ 150A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1mA @ 35V
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Twin Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Twin Tower
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