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GeneSiC Semiconductor - MBR200100CTR

KEY Part #: K6468815

MBR200100CTR Preços (USD) [1424pcs Estoque]

  • 1 pcs$30.41954
  • 25 pcs$22.84681
Número da peça:
MBR200100CTR
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 200A100P/70R
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR200100CTR electronic components. MBR200100CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR200100CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR200100CTR Atributos do produto

Número da peça : MBR200100CTR
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Anode
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 200A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 840mV @ 100A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5mA @ 20V
Temperatura de funcionamento - junção : -
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Twin Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Twin Tower
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