Microsemi Corporation - APT10SCD65K

KEY Part #: K6444051

APT10SCD65K Preços (USD) [2581pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.60454
  • 10 pcs$2.32469
  • 25 pcs$2.09209
  • 100 pcs$1.90612

Número da peça:
APT10SCD65K
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE SILICON 650V 17A TO220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation APT10SCD65K electronic components. APT10SCD65K can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT10SCD65K, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT10SCD65K Atributos do produto

Número da peça : APT10SCD65K
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE SILICON 650V 17A TO220
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 650V
Atual - Média Retificada (Io) : 17A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 10A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 200µA @ 650V
Capacitância @ Vr, F : 300pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-220-2
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220 [K]
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

Você também pode estar interessado em
  • RJU60C2SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

  • RJU60C3SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

  • BAS16-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

  • VS-50WQ06FNTRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.