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  5. MURT20060R

GeneSiC Semiconductor - MURT20060R

KEY Part #: K6468596

MURT20060R Preços (USD) [999pcs Estoque]

  • 1 pcs$46.46811
  • 25 pcs$29.08672
Número da peça:
MURT20060R
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - DIACs, SIDACs, Módulos de driver de energia and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MURT20060R electronic components. MURT20060R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURT20060R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURT20060R Atributos do produto

Número da peça : MURT20060R
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Anode
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 200A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 100A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 160ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 25µA @ 50V
Temperatura de funcionamento - junção : -
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Three Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Three Tower
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