RJH60D5BDPQ-E0#T2 Preços (USD) [17778pcs Estoque]
- 1 pcs$2.31808
- Número da peça:
- RJH60D5BDPQ-E0#T2
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrição detalhada:
- IGBT 600V 75A 200W TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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RJH60D5BDPQ-E0#T2 Atributos do produto
Número da peça :
RJH60D5BDPQ-E0#T2
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
IGBT 600V 75A 200W TO-247
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
Trench
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
75A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
-
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.2V @ 15V, 37A
Potência - Max :
200W
Energia de comutação :
400µJ (on), 810µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
78nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
50ns/130ns
Condição de teste :
300V, 37A, 5 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
25ns
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
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