[12667pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRLML6401TR
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRLML6401TR electronic components. IRLML6401TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLML6401TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLML6401TR Atributos do produto
Número da peça :
IRLML6401TR
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
830pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.3W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Micro3™/SOT-23
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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