Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP10DE-M3/73

KEY Part #: K6443805

[2666pcs Estoque]


    Número da peça:
    EGP10DE-M3/73
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição detalhada:
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGP10DE-M3/73 electronic components. EGP10DE-M3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP10DE-M3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGP10DE-M3/73 Atributos do produto

    Número da peça : EGP10DE-M3/73
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição : DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
    Series : Automotive, AEC-Q101
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo de Diodo : Standard
    Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
    Atual - Média Retificada (Io) : 1A
    Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 1A
    Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 50ns
    Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 200V
    Capacitância @ Vr, F : 22pF @ 4V, 1MHz
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote / caso : DO-204AL, DO-41, Axial
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-204AL (DO-41)
    Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 150°C

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