GeneSiC Semiconductor - 1N1206A

KEY Part #: K6425119

1N1206A Preços (USD) [22785pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.17612
  • 200 pcs$2.16529

Número da peça:
1N1206A
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 12A DO4. Rectifiers 600V 12A Std. Recovery
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N1206A Atributos do produto

Número da peça : 1N1206A
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 12A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 12A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 50V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Chassis, Stud Mount
Pacote / caso : DO-203AA, DO-4, Stud
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-4
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 200°C
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