ON Semiconductor - MBRM110LT1G

KEY Part #: K6455909

MBRM110LT1G Preços (USD) [635119pcs Estoque]

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  • 15,000 pcs$0.05326
  • 30,000 pcs$0.05260

Número da peça:
MBRM110LT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 10V Low Vf
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRM110LT1G Atributos do produto

Número da peça : MBRM110LT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 10V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 365mV @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 500µA @ 10V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-216AA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Powermite
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 125°C

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