[3990pcs Estoque]
- Número da peça:
- SIA911DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIA911DJ-T1-GE3 electronic components. SIA911DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA911DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIA911DJ-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIA911DJ-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
94 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
12.8nC @ 8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
355pF @ 10V
Potência - Max :
6.5W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
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