Vishay Semiconductor Diodes Division - BY229B-800HE3/81

KEY Part #: K6447849

[1283pcs Estoque]


    Número da peça:
    BY229B-800HE3/81
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição detalhada:
    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BY229B-800HE3/81 electronic components. BY229B-800HE3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BY229B-800HE3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BY229B-800HE3/81 Atributos do produto

    Número da peça : BY229B-800HE3/81
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição : DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo de Diodo : Standard
    Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V
    Atual - Média Retificada (Io) : 8A
    Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.85V @ 20A
    Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 145ns
    Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 800V
    Capacitância @ Vr, F : -
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263AB
    Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 150°C

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