STMicroelectronics - STGW80H65DFB-4

KEY Part #: K6422308

STGW80H65DFB-4 Preços (USD) [9414pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.37725
  • 600 pcs$3.89160

Número da peça:
STGW80H65DFB-4
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
IGBT BIPO 650V 80A TO247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGW80H65DFB-4 Atributos do produto

Número da peça : STGW80H65DFB-4
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : IGBT BIPO 650V 80A TO247
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 120A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 240A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 80A
Potência - Max : 469W
Energia de comutação : 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 414nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 84ns/280ns
Condição de teste : 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 85ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-4
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-4L

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