Vishay Semiconductor Diodes Division - US1GHE3_A/H

KEY Part #: K6455566

US1GHE3_A/H Preços (USD) [636328pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.05813
  • 1,800 pcs$0.05412
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  • 5,400 pcs$0.04660
  • 12,600 pcs$0.04360
  • 45,000 pcs$0.04009

Número da peça:
US1GHE3_A/H
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC. Rectifiers 400 Volt 1.0A 50ns 30 Amp IFSM
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

US1GHE3_A/H Atributos do produto

Número da peça : US1GHE3_A/H
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 400V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1V @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 400V
Capacitância @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AC, SMA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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