[9428pcs Estoque]
- Número da peça:
- HGT1S3N60A4DS9A
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- IGBT 600V 17A 70W D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor HGT1S3N60A4DS9A electronic components. HGT1S3N60A4DS9A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGT1S3N60A4DS9A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HGT1S3N60A4DS9A Atributos do produto
Número da peça :
HGT1S3N60A4DS9A
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
IGBT 600V 17A 70W D2PAK
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo IGBT :
-
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
17A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
40A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 3A
Potência - Max :
70W
Energia de comutação :
37µJ (on), 25µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
21nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
6ns/73ns
Condição de teste :
390V, 3A, 50 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
29ns
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263AB
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