STMicroelectronics - STGWT60H65DFB

KEY Part #: K6422338

STGWT60H65DFB Preços (USD) [16790pcs Estoque]

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  • 10 pcs$2.20262
  • 100 pcs$1.80467
  • 500 pcs$1.53628
  • 1,000 pcs$1.29566

Número da peça:
STGWT60H65DFB
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGWT60H65DFB Atributos do produto

Número da peça : STGWT60H65DFB
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 80A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 240A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 60A
Potência - Max : 375W
Energia de comutação : 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 306nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 51ns/160ns
Condição de teste : 400V, 60A, 5 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 60ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3P