ON Semiconductor - HGTP10N120BN

KEY Part #: K6424877

HGTP10N120BN Preços (USD) [52422pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.74960
  • 800 pcs$0.74587

Número da peça:
HGTP10N120BN
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGTP10N120BN Atributos do produto

Número da peça : HGTP10N120BN
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo IGBT : NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 35A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 80A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 10A
Potência - Max : 298W
Energia de comutação : 320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 100nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 23ns/165ns
Condição de teste : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-220-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-3