TRS8E65C,S1Q Preços (USD) [12497pcs Estoque]
- 1 pcs$4.22191
- Número da peça:
- TRS8E65C,S1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
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TRS8E65C,S1Q Atributos do produto
Número da peça :
TRS8E65C,S1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
650V
Atual - Média Retificada (Io) :
8A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 8A
Rapidez :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
90µA @ 650V
Capacitância @ Vr, F :
44pF @ 650V, 1MHz
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-220-2
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-2L
Temperatura de funcionamento - junção :
175°C (Max)
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