Vishay Siliconix - SI7802DN-T1-GE3

KEY Part #: K6407823

[840pcs Estoque]


    Número da peça:
    SI7802DN-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7802DN-T1-GE3 electronic components. SI7802DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7802DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7802DN-T1-GE3 Atributos do produto

    Número da peça : SI7802DN-T1-GE3
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrição : MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
    Series : TrenchFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 250V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.24A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 435 mOhm @ 1.95A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.6V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 1.5W (Ta)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® 1212-8
    Pacote / caso : PowerPAK® 1212-8

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