GeneSiC Semiconductor - 1N8034-GA

KEY Part #: K6444971

1N8034-GA Preços (USD) [2267pcs Estoque]

  • 50 pcs$89.49709

Número da peça:
1N8034-GA
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N8034-GA Atributos do produto

Número da peça : 1N8034-GA
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 650V
Atual - Média Retificada (Io) : 9.4A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.34V @ 10A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 650V
Capacitância @ Vr, F : 1107pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-257-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-257
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 250°C
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