ON Semiconductor - HGTG30N60B3D

KEY Part #: K6423156

HGTG30N60B3D Preços (USD) [13732pcs Estoque]

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  • 10 pcs$2.63142
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  • 500 pcs$1.89710
  • 1,000 pcs$1.65231

Número da peça:
HGTG30N60B3D
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 600V 60A 208W TO247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGTG30N60B3D Atributos do produto

Número da peça : HGTG30N60B3D
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 600V 60A 208W TO247
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo IGBT : -
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 60A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 220A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 30A
Potência - Max : 208W
Energia de comutação : 550µJ (on), 680µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 170nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 36ns/137ns
Condição de teste : 480V, 30A, 3 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 55ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247