ON Semiconductor - FGA30N120FTDTU

KEY Part #: K6422550

FGA30N120FTDTU Preços (USD) [13999pcs Estoque]

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  • 10 pcs$2.64332
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  • 500 pcs$1.84354
  • 1,000 pcs$1.55479

Número da peça:
FGA30N120FTDTU
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 60A 339W TO3P.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGA30N120FTDTU Atributos do produto

Número da peça : FGA30N120FTDTU
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 1200V 60A 339W TO3P
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 60A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 90A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 30A
Potência - Max : 339W
Energia de comutação : -
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 208nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : -
Condição de teste : -
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 730ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3PN