Vishay Semiconductor Diodes Division - BAL99-HE3-08

KEY Part #: K6458614

BAL99-HE3-08 Preços (USD) [3181000pcs Estoque]

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  • 15,000 pcs$0.01221

Número da peça:
BAL99-HE3-08
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70 Volt 450mA 6ns 250 mA IFSM
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia, Transistores - Propósito Específico and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAL99-HE3-08 Atributos do produto

Número da peça : BAL99-HE3-08
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 70V
Atual - Média Retificada (Io) : 250mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 150mA
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 6ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 2.5µA @ 70V
Capacitância @ Vr, F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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