IPS65R1K0CEAKMA1 Preços (USD) [272498pcs Estoque]
- 1 pcs$0.13574
- 1,500 pcs$0.12460
- Número da peça:
- IPS65R1K0CEAKMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPS65R1K0CEAKMA1 electronic components. IPS65R1K0CEAKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPS65R1K0CEAKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPS65R1K0CEAKMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPS65R1K0CEAKMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
Series :
CoolMOS™ CE
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
328pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
37W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-251
Pacote / caso :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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