RS2BHE3_A/I Preços (USD) [525400pcs Estoque]
- 1 pcs$0.07040
- 3,200 pcs$0.06437
- Número da peça:
- RS2BHE3_A/I
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA. Rectifiers 1.5A, 100V, 150nS SMB, FS, GPP SM RECT
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RS2BHE3_A/I electronic components. RS2BHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS2BHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RS2BHE3_A/I Atributos do produto
Número da peça :
RS2BHE3_A/I
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Atual - Média Retificada (Io) :
1.5A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 1.5A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
150ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
5µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F :
20pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-214AA, SMB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
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