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  5. JANS1N5809

Microsemi Corporation - JANS1N5809

KEY Part #: K6441994

JANS1N5809 Preços (USD) [1266pcs Estoque]

  • 1 pcs$34.20081
  • 10 pcs$32.12615
  • 25 pcs$30.67546
Número da peça:
JANS1N5809
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation JANS1N5809 electronic components. JANS1N5809 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANS1N5809, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANS1N5809 Atributos do produto

Número da peça : JANS1N5809
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Series : Military, MIL-PRF-19500/477
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 30ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : B, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : -
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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