Número da peça :
1N6081US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
150V
Atual - Média Retificada (Io) :
2A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.5V @ 37.7A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
30ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 150V
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SQ-MELF, G
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
G-MELF (D-5C)
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 155°C