VS-GB100LP120N Preços (USD) [1197pcs Estoque]
- 1 pcs$36.16500
- 24 pcs$34.44288
- Número da peça:
- VS-GB100LP120N
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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VS-GB100LP120N Atributos do produto
Número da peça :
VS-GB100LP120N
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
-
Configuração :
Single
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
200A
Potência - Max :
658W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
1.8V @ 15V, 100A (Typ)
Corrente - corte de coletor (máx.) :
1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
7.43nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
INT-A-Pak
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
INT-A-PAK
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