Taiwan Semiconductor Corporation - GBL08HD2G

KEY Part #: K6538571

GBL08HD2G Preços (USD) [281013pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.13162

Número da peça:
GBL08HD2G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GBL08HD2G Atributos do produto

Número da peça : GBL08HD2G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Single Phase
Tecnologia : Standard
Tensão - pico reverso (máximo) : 800V
Atual - Média Retificada (Io) : 4A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 4A
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 800V
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : 4-SIP, GBL
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : GBL

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