Número da peça :
GSID200A120S3B1
Fabricante :
Global Power Technologies Group
Descrição :
SILICON IGBT MODULES
Configuração :
2 Independent
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
400A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 200A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
20nF @ 25V
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
D-3 Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D3