Toshiba Semiconductor and Storage - ULN2803APG,CN

KEY Part #: K6392280

[6229pcs Estoque]


    Número da peça:
    ULN2803APG,CN
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage ULN2803APG,CN electronic components. ULN2803APG,CN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ULN2803APG,CN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ULN2803APG,CN Atributos do produto

    Número da peça : ULN2803APG,CN
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo de transistor : 8 NPN Darlington
    Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 500mA
    Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 50V
    Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic : 1.6V @ 500µA, 350mA
    Corrente - corte de coletor (máx.) : -
    Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 1000 @ 350mA, 2V
    Potência - Max : 1.47W
    Freqüência - Transição : -
    Temperatura de operação : -40°C ~ 85°C (TA)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote / caso : 18-DIP (0.300", 7.62mm)
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 18-DIP

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