Número da peça :
MBR600200CT
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrição :
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
Configuração de diodo :
1 Pair Common Cathode
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
200V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) :
300A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
920mV @ 300A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
3mA @ 200V
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Twin Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Twin Tower