Vishay Semiconductor Diodes Division - ESH3C-E3/57T

KEY Part #: K6456981

ESH3C-E3/57T Preços (USD) [286357pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.12917
  • 2,550 pcs$0.11706

Número da peça:
ESH3C-E3/57T
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB. Rectifiers 150V 3.0A 25ns Glass Passivated
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ESH3C-E3/57T electronic components. ESH3C-E3/57T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH3C-E3/57T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ESH3C-E3/57T Atributos do produto

Número da peça : ESH3C-E3/57T
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 150V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 3A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 40ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 150V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AB, SMC
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C

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