Toshiba Semiconductor and Storage - TK14G65W5,RQ

KEY Part #: K6418537

TK14G65W5,RQ Preços (USD) [67891pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.57593
  • 1,000 pcs$0.49615

Número da peça:
TK14G65W5,RQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK14G65W5,RQ Atributos do produto

Número da peça : TK14G65W5,RQ
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
Series : DTMOSIV
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 13.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 690µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 300V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 130W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB