FESB8BT-E3/81 Preços (USD) [117965pcs Estoque]
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- 800 pcs$0.29367
- Número da peça:
- FESB8BT-E3/81
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 100 Volt 8.0A 35ns Single
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Zener - Single and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FESB8BT-E3/81 electronic components. FESB8BT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FESB8BT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FESB8BT-E3/81 Atributos do produto
Número da peça :
FESB8BT-E3/81
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Atual - Média Retificada (Io) :
8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
950mV @ 8A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
35ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263AB
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
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