ON Semiconductor - NDF10N60ZG

KEY Part #: K6406859

NDF10N60ZG Preços (USD) [1174pcs Estoque]

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Número da peça:
NDF10N60ZG
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NDF10N60ZG Atributos do produto

Número da peça : NDF10N60ZG
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1645pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 39W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220FP
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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