VS-4ESH02HM3/86A Preços (USD) [300257pcs Estoque]
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- 1,500 pcs$0.11309
- 3,000 pcs$0.10249
- 7,500 pcs$0.09542
- 10,500 pcs$0.09424
- Número da peça:
- VS-4ESH02HM3/86A
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
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VS-4ESH02HM3/86A Atributos do produto
Número da peça :
VS-4ESH02HM3/86A
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
Series :
FRED Pt®
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
200V
Atual - Média Retificada (Io) :
4A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
930mV @ 4A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
20ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
2µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-277, 3-PowerDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-277A (SMPC)
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C
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